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[发明专利]基于缺陷圆盘耦合纳米棒结构SPR传感器-CN202111331624.8在审
发明人：曾丽珍;徐燕萍;肖功利;杨宏艳 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G01N21/59 文献下载
摘要：本发明公开一种基于缺陷圆盘耦合纳米棒结构SPR传感器，包括二氧化硅衬底，以及设置在二氧化硅衬底的至少一个金属纳米单元；每个金属纳米单元由金属纳米缺陷圆盘和金属纳米棒组成；金属纳米缺陷圆盘和金属纳米棒之间存在间隙；金属纳米缺陷圆盘为边缘带有的矩形缺口的圆形；金属纳米棒为矩形；金属纳米缺陷圆盘上的矩形缺口朝向金属纳米棒方向，且矩形缺口的宽边中心线与金属纳米棒的宽边中心线的中线垂直。本发明通过金属纳米缺陷圆盘和金属纳米棒产生偶极子，两偶极子相互耦合产生一个表面等离子共振峰。通过改变金属纳米单元的几何参数，可以实现表面等离子共振的共振强度及共振波长位置的调控，并获得高灵敏度。
基于缺陷圆盘耦合纳米结构 spr 传感器

[实用新型]基于缺陷圆盘耦合纳米棒结构SPR传感器-CN202122754551.5有效
发明人：曾丽珍;徐燕萍;肖功利;杨宏艳 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G01N21/59 文献下载
摘要：本实用新型公开一种基于缺陷圆盘耦合纳米棒结构SPR传感器，包括二氧化硅衬底，以及设置在二氧化硅衬底的至少一个金属纳米单元；每个金属纳米单元由金属纳米缺陷圆盘和金属纳米棒组成；金属纳米缺陷圆盘和金属纳米棒之间存在间隙；金属纳米缺陷圆盘为边缘带有的矩形缺口的圆形；金属纳米棒为矩形；金属纳米缺陷圆盘上的矩形缺口朝向金属纳米棒方向，且矩形缺口的宽边中心线与金属纳米棒的宽边中心线的中线垂直。本实用新型通过金属纳米缺陷圆盘和金属纳米棒产生偶极子，两偶极子相互耦合产生一个表面等离子共振峰。通过改变金属纳米单元的几何参数，可以实现表面等离子共振的共振强度及共振波长位置的调控，并获得高灵敏度。
基于缺陷圆盘耦合纳米结构 spr 传感器

[发明专利]一种平面金属纳米手性结构、制备方法和AT效应调控方法-CN201810354712.1有效
发明人：张中月;张永元;王菲;赵文静 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种平面金属纳米手性结构、制备方法和AT效应调控方法，该结构是由多个结构相同的纳米单元上下、左右组合阵列而成的手性结构；纳米单元包括金属纳米棒和位于金属纳米棒一侧的S形金属纳米结构；S形金属纳米结构具有手性特征；金属纳米棒为长方体，其宽度和厚度分别与S形金属纳米结构的宽度和厚度相等；金属纳米棒和S形金属纳米结构之间有间距；金属纳米棒和S形金属纳米结构均采用金材料。本发明结构由金属纳米棒和S形金属纳米结构两个单独的简单结构组合而成，能够在圆偏振光垂直照射下产生高效直入射非对称传输。
一种平面金属纳米手性结构制备方法 at 效应调控

[发明专利]一种基于倾斜纳米棒的圆二色性结构-CN201910627525.0在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：西安柯莱特信息科技有限公司
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于倾斜纳米棒的圆二色性结构，包括衬底层所述衬底层上设置有周期排列的结构单元，结构单元包括第一金属纳米棒、第二金属纳米棒；第一金属纳米棒的后侧面与第二金属纳米棒的前侧面相邻；所述第一金属纳米棒向左侧倾斜，所述第二金属纳米棒向右侧倾斜；该基于倾斜纳米棒的圆二色性结构，结构简单，制作工艺简单，便于大规模生产制作，具有很好的圆二色性，能够将圆二色性提高到10%～20%，使得圆二色性更加的突出，为圆二色性的应用奠定基础，最重要的一点，该基于倾斜纳米棒的圆二色性结构可以设置两个金属纳米棒不同角度的倾斜，使得两个金属纳米棒之间的夹度可调，从而实现圆二色性的调节。
圆二色性金属纳米棒纳米棒衬底层制作工艺周期排列后侧面前侧面夹度可调制作应用

[发明专利]贵金属纳米棒-贵金属纳米颗粒复合结构及其制备方法-CN201811322506.9在审
发明人：王朝光;吴学忠;董培涛;陈剑;王京;李白泥 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种贵金属纳米棒‑贵金属纳米颗粒复合结构及其制备方法，该结构包括包括：衬底、金属膜层、贵金属膜层、贵金属纳米棒和贵金属纳米颗粒，金属膜层至少设置于衬底的顶面上；贵金属膜层设置于金属膜层的顶面上；贵金属纳米棒设置于贵金属膜层上；贵金属纳米颗粒通过聚合物层形成电性吸附力或共价键键合力结合在贵金属纳米棒表面；贵金属纳米棒的轴向方向与衬底表面法向方向所成夹角60°~85°。
贵金属纳米贵金属纳米颗粒贵金属膜层金属膜层复合结构衬底制备衬底表面电性吸附结构材料聚合物层轴向方向棒表面共价键键合力法向

[发明专利]金属纳米颗粒及制备所述金属纳米颗粒的方法-CN201880082434.7在审
发明人：库尔比·辛格;迈克尔·麦克阿尔杜夫;D·杰拉德·马兰戈尼 -专利权人：索纳纳米技术公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：用于制备金属纳米棒的方法包括将金属阳离子的源与至少一种表面活性剂组合以形成混合物，其中还原所述金属阳离子并且产生所述金属纳米棒。通过所述方法产生的金属纳米棒及其用途。所述金属纳米棒可用于诸如侧流装置的装置中。
金属纳米颗粒制备方法

[发明专利]一种金属/合金纳米颗粒-半导体纳米线或纳米棒的复合纳米体系的制备方法-CN201010604117.2无效
发明人：孙旭辉;彭明发;李述汤 -专利权人：苏州方昇光电装备技术有限公司
申请日： 2010-12-24 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种金属/合金纳米颗粒-半导体纳米线或纳米棒的复合纳米体系的制备方法，用氢氟酸水溶液去除硅、锗纳米线或纳米棒表面的一层原位氧化物，形成氢终止的硅、锗纳米线或纳米棒，后与单一金属离子或多种金属离子发生氧化还原反应，在硅、锗纳米线或纳米棒表面形成金属纳米颗粒或合金纳米颗粒均匀包覆的体系，即金属/合金纳米颗粒-半导体纳米线或纳米棒的复合体系。本发明方法制备的复合纳米体系在高效催化、表面增强拉曼检测等领域中具有很好的应用。
一种金属合金纳米颗粒半导体复合体系制备方法

[发明专利]一种ZnO纳米棒阵列的制备方法-CN201010554825.X有效
发明人：周明杰;廖秋荣;马文波 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司
申请日： 2010-11-23 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： C09K11/58 文献下载
摘要：本发明属于发光材料领域，其公开了一种ZnO纳米棒阵列的制备方法，包括如下步骤：清洗基底；ZnO种子层前驱体溶液制备；ZnO种子层制备；ZnO纳米棒阵列的制备；ZnO纳米棒阵列吸附金属纳米颗粒的制备。本发明一种ZnO纳米棒阵列，通过在ZnO纳米棒表面引入纳米金属颗粒，利用金属纳米粒子的表面等离子体效应提高ZnO纳米棒发光效率，得到紫外发射性能优良的ZnO纳米棒阵列；同时制备方法工艺简单，无需昂贵设备
一种 zno 纳米阵列制备方法

[发明专利]一种吸收圆二色性可调的结构-CN201910627444.0在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：西安柯莱特信息科技有限公司
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种吸收圆二色性可调的结构，包括多个周期排列的结构单元，所述结构单元包括衬底、第一金属纳米棒、第二金属纳米棒；所述第一金属纳米棒的后侧面与第二金属纳米棒的前侧面相邻；所述第一金属纳米棒向左侧倾斜，所述第二金属纳米棒向右侧倾斜；所述衬底设置于第二金属纳米棒的右侧；该吸收圆二色性可调的结构，结构简单，制作工艺简单，便于大规模生产制作，具有很好的圆二色性，能够将圆二色性提高到20%左右，使得圆二色性更加的突出
金属纳米棒圆二色性可调的衬底吸收制作工艺周期排列后侧面前侧面制作应用

[发明专利]一种可实现宽带等离激元诱导透明窗口的纳米棒聚合结构-CN201710310808.3有效
发明人：刘菲;张楷亮;任广军;薛力芳 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：一种可实现宽带等离激元诱导透明窗口的纳米棒聚合结构，采用金属‑绝缘体‑金属(MIM)型纳米棒聚合结构，上层金属为边对边排列的金纳米棒二聚体；下层金属为金纳米棒；两层纳米棒之间为二氧化硅绝缘层；从而构成了可实现宽带等离激元诱导透明窗口的MIM型纳米棒聚合结构。本发明的有益效果是：本发明所提出的金属‑绝缘体‑金属型纳米棒聚合结构，可在可见光与近红外波段实现宽带的等离激元诱导透明窗口，这一特性可应用于光开关、慢光装置等领域。
纳米棒聚合结构等离激元透明窗口宽带金属诱导绝缘体金纳米棒二氧化硅绝缘层近红外波段可见光二聚体光开关金属型对边两层慢光下层上层应用

[发明专利]以纳米烧结粉膜为中间层的互不固溶金属连接工艺-CN201510656626.2在审
发明人：黄远;王凤娇;何芳 -专利权人：天津大学
申请日： 2015-10-12 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： B22F7/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种以纳米烧结粉膜为中间层的互不固溶金属连接工艺，被连接的两个互不固溶的金属棒包括金属A棒和金属B棒，金属A棒的熔点大于金属B棒的熔点，首先对金属A棒和金属B棒表面进行前处理。通过球磨方法制备金属A金属B纳米粉膜中间层，按照金属A棒-纳米烧结粉膜-金属B棒的顺序使用夹具固定叠合后准确选择加压退火时的温度，通过纳米烧结粉膜成功实现了金属A和金属B之间的连接，连接强度达到了155MPa本发明的关键在于通过金属A和金属B纳米烧结粉膜实现了中间层金属的功能。本发明不仅可用于制备钼/银互不固溶金属棒状复合材料，也同样适用于其它体系的互不固溶金属复合材料的制备，如钼/铜、钨/银和铌/铝等。
纳米烧结中间层互不金属连接工艺

[发明专利]一种控制金属纳米棒生长的方法-CN201810111752.3有效
发明人：杨锦;牛晓滨;陈海元;郭恒;周亚君;蒲冰雪 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：一种控制金属纳米棒生长的方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明基于金属纳米棒晶格动力学蒙特卡洛模型，通过先在衬底目标区域形成纳米级金属岛，然后结合倾斜式生长的气相物理沉积技术在特定生长参数下仿真模拟得到金属纳米棒直径与纳米级金属岛间距之间的线性关系；从而使得在实际采用倾斜式生长的物理气相沉积技术对预先沉积在衬底目标区域的纳米级金属岛进行外延生长时，不需要调整沉积粒子入射角、沉积温度、沉积速率等生长参数来控制金属纳米棒的最终生长形貌，只需根据已知线性关系调整预沉积纳米级金属岛间距就能获得目标直径大小的金属纳米棒阵列。
一种控制金属纳米生长方法

[发明专利]基于金银核壳纳米棒-金属薄膜的有机固体激光器及制备方法-CN202010138321.3有效
发明人：宁舒雅;张那明;吴元;代康;张一凡 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01S3/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于金银核壳纳米棒‑金属薄膜的有机固体激光器，包括依次层叠设置的衬底、金属薄膜层、金银核壳纳米棒结构层以及增益介质层；其中，金属薄膜层为能够产生非局域表面等离子体效应SPP的金属薄膜；金银核壳纳米棒结构层中壳层材料为Ag，中心核材料为Au纳米棒。本发明通过在金属薄膜层上适当距离沉积金银核壳纳米棒形成金银核壳纳米棒与金属薄膜层复合结构，并利用该复合结构中金银核壳纳米棒的LSPR与金属薄膜的SPP的耦合产生的强局域场及散射作用增强随机激光，显著降低有机固体激光器的激光阈值
基于金银纳米金属薄膜有机固体激光器制备方法

[发明专利]核壳型纳米金棒-金属有机框架纳米材料及其制备方法-CN202010292570.8有效
发明人：周群芳;郝放;赵星辰;刘倩;江桂斌 -专利权人：中国科学院生态环境研究中心
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： B22F1/02 文献下载
摘要：一种核壳型纳米金棒‑金属有机框架纳米材料及其制备方法，该制备方法，包括将纳米金棒加入非离子型表面活性剂溶液中超声、离心后收集得到第一纳米金棒；在2‑甲基咪唑溶液中加入ZnNO3溶液，再加入第一纳米金棒，得到第一混合溶液，将第一混合溶液静置后即得所述核壳型纳米金棒‑金属有机框架复合纳米材料。本发明采用水相合成，通过预先合成纳米金棒，对纳米金棒进行修饰，在纳米金棒表面沉积金属有机框架材料等步骤获得该复合材料；本方法制备过程简单，具有良好的可控性和可重复性，制备得到的纳米金棒‑金属有机框架纳米材料粒径均一
核壳型纳米金属有机框架材料及其制备方法

[发明专利]一种过渡金属元素掺杂的TiO2纳米棒阵列的制备方法-CN201711269602.7在审
发明人：李鑫;杨隆凯;黄海宁;崔千;曹冰冰;王泽宇 -专利权人：厦门大学
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： C01G23/053 文献下载
摘要：一种过渡金属元素掺杂的TiO2纳米棒阵列的制备方法，涉及纳米材料。FTO基底清洗；TiO2籽晶层制备；过渡金属元素掺杂的TiO2纳米棒阵列的制备。采用溶剂热的办法一步法直接在TiO2籽晶层上原位生长大面积、高度均匀、高度取向生长的过渡金属掺杂TiO2纳米棒阵列。且掺杂纳米棒阵列的形貌得以保持。所制备的材料成本低廉，操作简单，对设备要求很低；一步法实现过渡金属离子在纳米棒阵列中的掺杂；掺杂后，纳米棒的结晶性显著提升，且纳米棒阵列的形貌得以保持。
一种过渡金属元素掺杂 tio2 纳米阵列制备方法

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